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深圳市福英達工業技術有限公司
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淺談Sn-Bi-Ag低溫錫膏的晶界強化機制-深圳福英達

2025-07-11

ENIG Ni(P)鍍層焊接界面P偏析產生機理-深圳福英達

淺談Sn-Bi-Ag低溫錫膏的晶界強化機制

Sn-Bi-Ag低溫錫膏的晶界強化機制是一個多因素協同作用的過程,以下從各機制的具體作用、研究案例及數據支持、協同效應三個角度進行詳細闡述:


圖片1.png



一、Ag3Sn金屬間化合物的晶界析出與釘扎(核心強化機制)

沉淀強化

Sn-Bi熔體中,Ag與Sn反應生成細小的Ag?Sn顆粒。這些顆粒傾向于在Sn晶粒的晶界處富集,因其是原子擴散的快速通道,也是第二相偏析的優先位置。

釘扎效應

彌散分布的硬質Ag?Sn顆粒通過Zener釘扎作用,阻礙晶界遷移和晶粒長大。實驗表明,Ag?Sn顆粒能有效阻止位錯在晶界處的滑移和堆積,顯著增強晶界的“強度”或“穩定性”。

數據支持

Sn3.8Ag0.7Cu合金的研究中,微細顆粒狀Ag?Sn分布在晶界上,阻礙晶界滑動,起到增強作用。類似地,在Sn-Bi-Ag合金中,Ag?Sn的釘扎效應使焊點在120℃等溫時效2000小時后,界面IMC層仍保持薄且未開裂抑制了柯肯達爾空洞的出現

二、抑制Bi在晶界的偏聚與脆化(關鍵改善機制)

Bi偏聚的問題

Sn-Bi共晶合金中,Sn原子與焊盤的Cu原子發生冶金反應,生成金屬間化合物Cu6Sn5Sn原子不斷消耗,析出的Bi原子易在晶界偏聚,形成連續脆性層,成為裂紋擴展路徑,導致合金脆性大。

Ag的作用機制

物理占據:Ag?Sn顆粒占據晶界位置,稀釋Bi濃度,減少連續脆性層形成。

動力學改變:Ag可能改變Bi的偏聚行為,如降低其平衡濃度或減緩偏聚速率。

案例與數據

深圳市福英達公司自己開發的低溫FL系列合金,通過添加微納米增強型顆粒AgCu等元素,使Sn-Bi合金焊點IMC附近的富Bi現象得到改善,焊點韌性提升30%,斷裂伸長率超過12%。

三、晶粒細化(基礎強化機制)

異質形核作用

Ag?Sn顆粒作為Sn晶粒結晶的非均勻形核點,增加形核率,細化晶粒尺寸。

Hall-Petch效應

晶粒細化通過增加晶界面積,更有效地阻礙位錯運動。細晶組織還能均勻分散應力,減少應力集中。

實驗證據

Sn-Bi-Ag合金中,Ag?Sn的細化作用使焊點在時效后仍保持細小晶粒,界面IMC層薄且穩定。


四、固溶強化(次要貢獻)

Ag的固溶度

Ag在Sn中的固溶度有限,直接固溶強化作用微弱可添加微量銻Sb元素,起到固溶強化的作用較為明顯

間接影響

Ag?Sn的形成消耗部分Sn,可能略微改變基體成分,但主要強化作用仍來自Ag?Sn顆粒。

五、協同效應與綜合性能提升

多機制協同

Ag?Sn釘扎:直接增強晶界抵抗變形能力。

抑制Bi偏聚:解決Sn-Bi合金晶界脆性問題。

晶粒細化:通過Hall-Petch效應提供基礎強度,并增加有效晶界面積。

性能優勢

強度與韌性:Sn-Bi-Ag合金抗拉強度達80MPa以上,延伸率16%-30%,顯著優于Sn-Bi合金。

熱穩定性:在120℃時效2000小時后,界面IMC層薄且未開裂,熱疲勞性能優異。

工藝兼容性:低溫焊接(如150℃)減少熱損傷,適用于LED封裝、柔性電路板等場景。


六、結論

Ag的加入通過形成Ag?Sn并調控微觀組織,有效強化了Sn-Bi低溫焊料的晶界。這種多機制協同作用顯著提升了焊點的力學性能(強度、抗蠕變性)和可靠性(抗熱疲勞性),克服了Sn-Bi合金的固有缺陷。實際應用中,Sn-Bi-Ag合金已成為新能源汽車電池極耳焊接、5G基站封裝等高要求場景的首選材料,展現了從“替代方案”到“主流選擇”的轉型潛力。


-未完待續-

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